| إمداد تموين جهد فلطيّ | ± 12V ~ ± 15V (± 5 ٪) |
|---|---|
| تصنيف المدخلات | 100A، 125A، 200A |
| تصنيف الانتاج | 100mA ± 0.5 ٪ ، 125mA ± 0.5 ٪ |
| الخطي | ≤ ± 0.2٪ FS |
| تقييم الملكية الفكرية | IP65 |
| جهد الإمداد | 24 فولت (±5%) |
|---|---|
| المدخلات المقدرة | 0 أ ~ 300 أ |
| الإخراج المقدر | 0.625 فولت ± 1% |
| نظرية | جهاز استشعار القاعة |
| الإخراج | تحويل محول الطاقة |
| اسم | مستشعر تأثير القاعة الحالي / محول طاقة الإحساس |
|---|---|
| هيكل الدائرة المغناطيسية | نوع المرحلة الواحدة |
| مبدأ تحويل الجهد | النوع الكهرومغناطيسي |
| تثبيت | النوع النشط |
| اساسي | IEC61010-1 |
| إمداد تموين جهد فلطيّ | ± 12V ～ ± 15V (± 5 ٪) |
|---|---|
| تصنيف المدخلات | 125A |
| تصنيف الانتاج | 125mA ± 0.5٪ |
| نوع | قاعة نوع |
| إصدار الشهادات | CE |
| إمداد تموين جهد فلطيّ | V 15 فولت (± 5٪) |
|---|---|
| تصنيف المدخلات | 0A ~ 2000A |
| تصنيف الانتاج | 4.0V ± 1 ٪ |
| نافذة الداخلية | 64mm و* 21mm و |
| استعمال | قاعة استشعار |
| جهد الإمداد | ± 15 فولت ± 5% |
|---|---|
| المدخلات الحالية | 200A-1000A |
| الجهد الناتج | 4.0 فولت ± 1% |
| الخطي | ≤1٪ FS |
| درجة حرارة التشغيل | -40 ～+85 ℃ |
| إمداد تموين جهد فلطيّ | + ± 15V 5٪ |
|---|---|
| مساهمة | 50A-600A |
| انتاج | | 4.0V ± 1٪ |
| تعويض الجهد | ≤ ± 25mV |
| درجة حرارة التشغيل | -40 ~ + 85 ℃ |
| إمداد تموين جهد فلطيّ | ± 15V ± 5٪ |
|---|---|
| مساهمة | 400A-2000A |
| انتاج | | 4.0V ± 1٪ |
| تخصيص | IEC 6044-1 |
| تقييم الملكية الفكرية | IP65 |
| جهد الإمداد | ±12 ～ ±15 (±5%) |
|---|---|
| المدخلات المقدرة | 0 أ ~ 4000 أ |
| الإخراج المقدر | 4.0 فولت ± 1% |
| العزل الداخلي | مغلفة الايبوكسي |
| شكل جوهر | مغلفة |
| تدور النسبة | 1:2000،1:3000 |
|---|---|
| المدخلات المقدرة | 100 ألف، 200 ألف، 300 ألف |
| الإخراج المقدر | 50 مللي أمبير ± 0.5%، 100 مللي أمبير ± 0.5% |
| تصنيف IP | IP65 |
| الخطية | 6 كيلو فولت، 50 هرتز، 1 دقيقة |
